中新網(wǎng)11月7日電 臺“經(jīng)濟部”官員7日上午低調(diào)證實官方將于今年12月中旬,開放第2與第3座8吋晶圓廠赴大陸投資,而制程技術(shù)的門檻也將一并由目前的0.25微米,進一步放寬為0.18微米,其中包括已到上海投資設(shè)廠的臺積電也適用新的規(guī)定。
據(jù)鳳凰衛(wèi)視報道,臺灣一家媒體7日指出,臺“經(jīng)濟部”審議將近一年的第2與第3座8吋晶圓廠赴大陸投資案,將于今年12月中旬通過,而且在晶圓制程的技術(shù)門檻,也會由目前比較低階的0.25微米放寬到比較高階的0.18微米。對此,臺“經(jīng)濟部”官員7日上午在“立法院”做出低調(diào)回應(yīng)。
“陸委會”也表示,未來也不排除更進一步開放更高階的晶圓制程赴大陸投資,或是開放IC封測廠到大陸設(shè)廠!瓣懳瘯惫賳T還指出,臺積電是在2004年5月經(jīng)官方批準(zhǔn)后,第一家將8吋晶圓廠轉(zhuǎn)赴大陸投資,而未來新的制程一旦通過包括臺積電都適用。(楊明哲)