中新網(wǎng)8月24日電 全球移動存儲領(lǐng)導廠商朗科公司今天發(fā)布了一款融合了三大加速技術(shù)的閃存盤U217，其連續(xù)讀寫速度提高到驚人的32MB/sec、21MB/sec，隨機讀寫速度提高到32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著名品牌同類產(chǎn)品的4倍左右。

　　據(jù)悉，在2009年以前，國內(nèi)閃存盤的主流容量一直徘徊在4GB以內(nèi)，但隨著三星等公司推出了更低納米的閃存芯片，目前閃存盤的最大容量已經(jīng)可以做到上百GB，足以和移動硬盤的容量相提并論了。

　　“在4GB以前，讀寫速度的快慢并不能給用戶以非常直觀的感受，但現(xiàn)在不同了。一款32GB的閃存盤如果用去年業(yè)內(nèi)平均讀寫速度10MB/sec來存儲，累計需要一個小時，而如果采用朗科U217，只需十幾分鐘�！庇袠I(yè)內(nèi)人士表示，閃存盤容量的大幅攀升，對閃存盤讀寫速度提出了更高的要求。

　　據(jù)悉，朗科三大閃存技術(shù)主要通過“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和Nspeed提速技術(shù)”三種方法來實現(xiàn)速度的顯著提升。

　　“新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤讀寫速度提高30～40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤的讀寫技術(shù)提高到兩倍。此外，朗科Nspeed提速技術(shù)則利用PC緩存來提升閃存盤的讀寫性能�！崩士乒�司技術(shù)部門有關(guān)人士向記者表示。

　　特別值得一提的是，大多數(shù)時候，閃存盤是用來存儲零散的小文件，而不像DVD文件那樣動輒0.99GB大小，因而其隨機讀寫性能要比連續(xù)讀寫性能重要得多。目前市面上最好的同類閃存盤的隨機寫性能只能做到3MB/sec左右，而采用朗科三大閃存技術(shù)的閃存盤最高隨機寫性能達到了12MB/S，是前者的4倍，也是目前全球綜合讀寫性能最好的閃存盤。

　　據(jù)悉，目前采用三大閃存技術(shù)的第一款產(chǎn)品U217已經(jīng)上市，其最大設(shè)計容量為128GB，是為數(shù)不多的海量閃存盤家族中的領(lǐng)跑者。

　　作為閃存盤的發(fā)明者、國內(nèi)唯一擁有芯片級開發(fā)能力的閃存盤廠商，朗科公司在閃存盤技術(shù)領(lǐng)域擁有無人能及的優(yōu)勢，其開發(fā)的數(shù)十項閃存技術(shù)獲得了發(fā)明專利，這些技術(shù)構(gòu)成了現(xiàn)今閃存盤產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)，已經(jīng)為世界各國閃存廠商所采納。