中新網(wǎng)8月24日電 全球移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商朗科公司今天發(fā)布了一款融合了三大加速技術(shù)的閃存盤(pán)U217，其連續(xù)讀寫(xiě)速度提高到驚人的32MB/sec、21MB/sec，隨機(jī)讀寫(xiě)速度提高到32MB/sec、12MB/sec，后者更是全球著名品牌同類產(chǎn)品的4倍左右。

　　據(jù)悉，在2009年以前，國(guó)內(nèi)閃存盤(pán)的主流容量一直徘徊在4GB以內(nèi)，但隨著三星等公司推出了更低納米的閃存芯片，目前閃存盤(pán)的最大容量已經(jīng)可以做到上百GB，足以和移動(dòng)硬盤(pán)的容量相提并論了。

　　“在4GB以前，讀寫(xiě)速度的快慢并不能給用戶以非常直觀的感受，但現(xiàn)在不同了。一款32GB的閃存盤(pán)如果用去年業(yè)內(nèi)平均讀寫(xiě)速度10MB/sec來(lái)存儲(chǔ)，累計(jì)需要一個(gè)小時(shí)，而如果采用朗科U217，只需十幾分鐘。”有業(yè)內(nèi)人士表示，閃存盤(pán)容量的大幅攀升，對(duì)閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度提出了更高的要求。

　　據(jù)悉，朗科三大閃存技術(shù)主要通過(guò)“閃存芯片的控制加速、雙通道倍速和Nspeed提速技術(shù)”三種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)速度的顯著提升。

　　“新的閃存控制技術(shù)可以讓閃存盤(pán)讀寫(xiě)速度提高30～40%。而雙通道技術(shù)則直接將閃存盤(pán)的讀寫(xiě)技術(shù)提高到兩倍。此外，朗科Nspeed提速技術(shù)則利用PC緩存來(lái)提升閃存盤(pán)的讀寫(xiě)性能�！崩士乒�司技術(shù)部門有關(guān)人士向記者表示。

　　特別值得一提的是，大多數(shù)時(shí)候，閃存盤(pán)是用來(lái)存儲(chǔ)零散的小文件，而不像DVD文件那樣動(dòng)輒0.99GB大小，因而其隨機(jī)讀寫(xiě)性能要比連續(xù)讀寫(xiě)性能重要得多。目前市面上最好的同類閃存盤(pán)的隨機(jī)寫(xiě)性能只能做到3MB/sec左右，而采用朗科三大閃存技術(shù)的閃存盤(pán)最高隨機(jī)寫(xiě)性能達(dá)到了12MB/S，是前者的4倍，也是目前全球綜合讀寫(xiě)性能最好的閃存盤(pán)。

　　據(jù)悉，目前采用三大閃存技術(shù)的第一款產(chǎn)品U217已經(jīng)上市，其最大設(shè)計(jì)容量為128GB，是為數(shù)不多的海量閃存盤(pán)家族中的領(lǐng)跑者。

　　作為閃存盤(pán)的發(fā)明者、國(guó)內(nèi)唯一擁有芯片級(jí)開(kāi)發(fā)能力的閃存盤(pán)廠商，朗科公司在閃存盤(pán)技術(shù)領(lǐng)域擁有無(wú)人能及的優(yōu)勢(shì)，其開(kāi)發(fā)的數(shù)十項(xiàng)閃存技術(shù)獲得了發(fā)明專利，這些技術(shù)構(gòu)成了現(xiàn)今閃存盤(pán)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)基礎(chǔ)，已經(jīng)為世界各國(guó)閃存廠商所采納。